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Connecteur à ressort DIN 41612 VME 64x Réf. article 306-62067-12
Illustration similaire
À angle droit
Technologie press-fit
Renforcé
- Longueur de raccordement : 4,6 mm
- Nombre de pôles : 160
- Technique d'insertion
- Niveau de qualité 1
- Bride ANSI
Schémas
Plus d'informations
Délai de livraison
Caractéristiques techniques
Socles
| Spécification | IEC 61076-4-113 |
|---|---|
| Catégorie de qualité | 1 |
| Nombre de contacts | 160 |
| Technique de raccordement | Technique d'insertion |
| Longueur de raccordement | 4,6 mm |
| Température de fonctionnement | de -55 °C à +125 °C |
Matériau
| Corps isolant | PBT renforcé de fibres de verre, UL 94 V-0 |
|---|---|
| Valeur CTI IEC 60112 | 200 |
| Matériau de contact | alliage de cuivre |
Mécanique
| Dimension du pas | 2,54 mm |
|---|---|
| Force d'enfichage | 160 N |
| Force d'extraction par contact | > 0,15 N |
| Durée de vie | 500 cycles d'insertion |
Électrique
| Courant de fonctionnement | 1,5 A |
|---|---|
| Résistance traversante | 20 mΩ |
| Entrefers et lignes de fuite | abc ≥ 1,2 mm, zd ≥ 1,0 mm |
| Résistance d'isolation | 104 MΩ |
| Tension test | 1 000 V |
Homologations / conformité
| Fichier UL | E130314 |
|---|---|
| Environnement | Conforme à la directive RoHS |
Indication de perçage
| Material | chem. Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | chem. Sn Schicht, max. 1.5 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | Ni, Au Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | Ni, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | rein Cu Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | OSP, z.B. GLICOAT-SMD (F2) mit 0.12 - 0.15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | HAL Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | HAL Sn, 5 - 15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
Structure de couche selon IEC 60352-5
Montage
Conditionnement
Tube
17 pièces / tube
12 tubes par boîte